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牛津仪器ALD OpAL原子层沉积系统
OpAL系统是一种带有等离子体选项的直开式热原子层沉积(ALD)设备。 它可通过清晰而易行的途径升级为等离子体 ALD,这样便可在一个结构紧凑的设备上实现等离子体和热ALD。紧凑型直开式热原子层沉积
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三维原子层沉积系统 ALD
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PICOSUN原子层沉积设备ALD
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牛津仪器ALD OpAL原子层沉积系统 应用存储电容电介质
所谓的原子层沉积技术,是指通过将气相前驱体交替脉冲通入反应室并在沉积基体表面发生气固相化学吸附反应形成薄膜的一种方法。OpAL系统是一种带有等离子体选项的直开式热原子层沉积(ALD)设备。 它可
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牛津仪器ALD OpAL原子层沉积系统 应用高K栅氧化物
原子层沉积(atomiclayer deposition,ALD)技术,亦称原子层外延(atomiclayer epitaxy,ALE)技术,是一种基于有序、表面自饱和反应的化学气相薄膜沉积技术
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牛津仪器ALD OpAL原子层沉积系统 应用纳米多孔结构的涂层
并完善。OpAL系统是一种带有等离子体选项的直开式热原子层沉积(ALD)设备。 它可通过清晰而易行的途径升级为等离子体 ALD,这样便可在一个结构紧凑的设备上实现等离子体和热ALD。紧凑型直开式热原子
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牛津仪器ALD OpAL原子层沉积系统沉积系统
OpAL系统是一种直立式热原子层沉积(ALD)设备,配备等离子体选项。它能够简单地实现从热ALD升级到等离子体ALD,在一个紧凑的结构上实现等离子体和热ALD。紧凑型直立式热原子层沉积(ALD)设备
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PICOSUN原子层沉积系统ALD R-200 Pro
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原子层沉积系统ALD
3D结构实现均匀薄膜覆盖,可实现微纳深孔内部的均匀沉积,是先进电池材料、催化剂材料、半导体器件研究与应用的最佳仪器。技术参数腔室真空度:≤ 5 Pa真空系统:抽速14L/S,从大气抽至5Pa,≤15
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原子层沉积系统(ALD)
仪器简介:原子层沉积(ALD)简介: 原子层沉积(Atomic Layer Deposition,ALD),zei初称为原子层外延(Atomic Layer Epitaxy,ALE
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